1. 1N5239B
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厂商型号

1N5239B 

产品描述

Diode Zener Single 9.1V 5% 500mW 2-Pin DO-35 Bulk

内部编号

3-1N5239B

#1

数量:141005
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:141005
1+¥0.1541
25+¥0.1541
100+¥0.1541
500+¥0.1541
1000+¥0.077
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:5224
1+¥0.8205
10+¥0.7453
100+¥0.2598
1000+¥0.1778
2000+¥0.1368
10000+¥0.1162
25000+¥0.1026
50000+¥0.0957
100000+¥0.0752
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

1N5239B产品详细规格

规格书 1N5239B datasheet 规格书
1N5239B datasheet 规格书
1N5221B - 63B
1N5239B datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
电压 - 齐纳(NOM)(VZ) 9.1V
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 1.2V @ 200mA
电流 - 反向漏VR 3µA @ 7V
公差 ±5%
功率 - 最大 500mW
阻抗(最大)(ZZT) 10 Ohm
安装类型 Through Hole
包/盒 DO-204AH, DO-35, Axial
供应商器件封装 DO-35
包装材料 Bulk
操作温度 -65°C ~ 200°C
包装 2DO-35
配置 Single
标称齐纳电压 9.1 V
齐纳电压容差 5 %
最大功率耗散 500 mW
最大反向漏泄电流 3 uA
典型电压温度系数 0.068(Max) %/°C
工作温度 -65 to 200 °C
安装 Through Hole
标准包装 Bulk
电流 - Vr时反向漏电 3µA @ 7V
电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) 9.1V
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.2V @ 200mA
供应商设备封装 DO-35
封装 Bulk
功率 - 最大 500mW
阻抗(最大值)(Zzt ) 10 Ohm
安装类型 Through Hole
容差 ±5%
封装/外壳 DO-204AH, DO-35, Axial
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 1000
产品种类 Zener Diodes
齐纳电流 20 mA
齐纳电压 9.1 V
最大齐纳阻抗 10 Ohms
系列 1N5239B
电压温度系数 0.068 %/C
单位重量 0.004445 oz
电压容差 5 %
功率耗散 500 mW
安装风格 Through Hole
封装/外壳 DO-35
零件号别名 1N5239B_NL
最高工作温度 + 200 C
最低工作温度 - 65 C
RoHS RoHS Compliant By Exemption
工作温度范围 -65C to 200C
包装类型 DO-35
引脚数 2
冯页次 0.003 mA
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
拐点阻抗 10Ohm
齐纳电压(典型值) 9.1V
齐纳测试电流 20mA
删除 Compliant
Ir - Reverse Current 3 uA
端接类型 Axial
宽度 1.91 mm
测试电流 20 mA
品牌 Fairchild Semiconductor
Zz - Zener Impedance 10 Ohms
长度 4.56 mm
身高 1.91 mm
Pd - Power Dissipation 500 mW
Vz - Zener Voltage 9.1 V

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